Em uma memória convencional, a recuperação de dados ocorre através de endereços dos dados dentro da memória, enquanto que em uma memória CAM o programa fornece uma palavra e a memória lista todos os locais onde essa palavra está armazenada. Isso é feito em uma única operação, o que torna a memória CAM muito mais rápida do que uma memória RAM, sobretudo em aplicações de pesquisa de dados.
A nova memória CAM pertence aos circuitos integrados híbridos, que mesclam a eletrônica com a spintrônica. Mas ao passo que a spintrônica é uma tecnologia emergente que traz a grande promessa de processadores com consumo mínimo de energia, a nova memória tem potencial para ser usada em conjunto com a tecnologia atual.
Além disso, a nova memória híbrida usa a magnetização vertical de paredes de domínio verticais que reagem a substâncias magnéticas. Dessa forma, os dados que estão sendo processados dentro da CAM são armazenados em um circuito sem o uso de energia - os dados ficam lá depois que a energia é desligada.
Quando seu desenvolvimento estiver completo, as memórias CAM poderão viabilizar uma nova geração de produtos eletrônicos com inicialização instantânea, além de não consumirem eletricidade enquanto estiverem no modo de espera.
Segundo os pesquisadores da Universidade de Tohoku e da empresa NEC, ambas no Japão, a memória de conteúdo endereçável consome pouca energia (9,4 mW) e mantém a mesma velocidade de funcionamento das memórias similares atuais, não-spintrônicas.
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